Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
ThuisProduct ListIndustriële slimme module -accessoiresDDR3 UDIMM -geheugenmodule specificaties

DDR3 UDIMM -geheugenmodule specificaties

betaling Type:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,EXW,CIF
Min. orde:
1 Piece/Pieces
vervoer:
Ocean,Air,Express,Land
  • Beschrijving
Overview
Productkenmerken

ModelNSO4GU3AB

Leveringscapaciteit en aanvullende infor...

vervoerOcean,Air,Express,Land

betaling TypeL/C,T/T,D/A

IncotermFOB,EXW,CIF

Verpakking & Levering
Verkoopeenheden:
Piece/Pieces

4GB 1600MHz 240-pins DDR3 Udimm


Revisiegeschiedenis

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Informatietabel bestellen

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Beschrijving
Hengstar ongebufferde DDR3 SDRAM DIMM's (ongebufferde dubbele gegevenssnelheid synchrone DRAM dubbele in-line geheugenmodules) zijn laag vermogen, high-speed bediening geheugenmodules die DDR3 SDRAM-apparaten gebruiken. NS04GU3AB is een 512 m x 64-bit twee rank 4 GB DDR3-1600 CL11 1.5V SDRAM ongebufferd DIMM-product, gebaseerd op zestien 256m x 8-bit FBGA-componenten. De SPD is geprogrammeerd naar Jedec Standard Latentie DDR3-1600 timing van 11-11-11 bij 1,5 V. Elke 240-pins DIMM maakt gebruik van gouden contactvingers. De SDRAM -ongebufferde DIMM is bedoeld voor gebruik als hoofdgeheugen wanneer geïnstalleerd in systemen zoals pc's en werkstations.


Functies
 Power levering: VDD = 1,5 V (1.425V tot 1.575V)
VDDQ = 1.5V (1.425V tot 1.575V)
800MHz FCK voor 1600 MB/sec/pin
8 Onafhankelijke interne bank
 Programmable CAS -latentie: 11, 10, 9, 8, 7, 6
 Programmeerbare additieve latentie: 0, CL - 2 of CL - 1 klok
8-bit pre-fetch
 Burst Lengte: 8 (interleave zonder enige limiet, alleen opeenvolgend met startadres "000"), 4 met TCCD = 4 die niet naadloos lees of schrijft [op de vlieg met A12 of MRS]
BI-Directionele differentiële gegevensstrobe
 Interne (zelf) kalibratie; Interne zelfkalibratie via ZQ -pin (RZQ: 240 ohm ± 1%)
On dobbelsteen met behulp van ODT -pin
 Average vernieuwingsperiode 7.8us bij lager dan TCase 85 ° C, 3,9US bij 85 ° C <tcase <95 ° C
Anchrone reset
 Vergemeenbare gegevens-output-stationsterkte
 Vlieg-by topologie
PCB: hoogte 1,18 ”(30 mm)
ROHS conform en halogeenvrij


Belangrijkste timingparameters

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Adrestabel

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


PIN -beschrijvingen

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Opmerkingen : De onderstaande pinbeschrijvingstabel is een uitgebreide lijst van alle mogelijke pinnen voor alle DDR3 -modules. Alle genoemde pinnen kunnen mei niet worden ondersteund op deze module. Zie PIN -toewijzingen voor informatie die specifiek is voor deze module.


Functioneel blokdiagram

4 GB, 512MX64 Module (2rank van x8)

1


2


Opmerking:
1.De ZQ -bal op elke DDR3 -component is verbonden met een externe 240Ω ± 1% weerstand die aan de grond is gebonden. Het wordt gebruikt voor de kalibratie van de beëindiging en uitgangsduurprogramma van de component en uitgang.



Module -afmetingen


Vooraanzicht

3

Vooraanzicht

4

OPMERKINGEN:
1. Alle afmetingen zijn in millimeters (inches); Max/min of typisch (typ) waar genoteerd.
2.Tolerantie op alle afmetingen ± 0,15 mm tenzij anders aangegeven.
3. Het dimensionale diagram is alleen ter referentie.

Product Categorie : Industriële slimme module -accessoires

E-mail naar dit bedrijf
  • *Onderwerp:
  • *Naar:
    Mr. Jummary
  • *E-mail:
  • *bericht:
    Uw bericht moet tussen 20-8000 tekens
ThuisProduct ListIndustriële slimme module -accessoiresDDR3 UDIMM -geheugenmodule specificaties
Klik Hier om onderzoek te sturen
*
*

Huis

Product

Phone

Over ons

onderzoek

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

verzenden